Deposition DC SPT 문의
2004.06.25 16:39
질문 ::
문의드리고자 하는것은. DC SPT의 구조에 대하여 의문점이 있어 문의드립니다.
■ 구조는 DC power supply[10kw] -> Cathode[magnetic] ->
target -> 기판을 코팅
■ process gas : Argon
In-line 구조로서, 캐리어가 무빙하면서 코팅이되는 방식입니다.
캐리어를 구동시켜주는 롤러, 상부를 지지하여 주는 롤러는 테프론으
로 절연처리되어있습니다.
■ 캐리어는 floating 되게 되어있는 구조입니다. 현재까지 floating에
큰 문제를 두지 않았는데요.
floating이 깨지게 되면, 어떤 현상이 일어나는지 궁금합니다.
(조금 자세히 알고싶습니다)
답변 ::
문의하신 질문에는 사실 장치를 제대로 보지 않고서 답하기는 매우 어려울 것 같습니다.
일단 그려지는 그림으로 답을 드린다면 절연되어 있은 carrier가 플라즈마 내에 오래 머무르고 있는
상태는 아니라 생각됩니다. 해서 접지시킨 경우와 별 차이가 없어 보이나 굳이 접지를 고려할
이유또한 없을 것 입니다. 만일 접지 시킨다면 구조상 다른 것이 변해야 하는 어려움을 수반할 터이니까요.
절연체가 플라즈마 내에 오래 머무르다 보면 절연체의 전위가 변하게 됩니다. 플라즈마 쉬스를 고려해 보면
답이 나오지요. 또한 절연체에는 전자에 의한 음전하가 쌓이게 되고 절연체는 전기 전도도가 낮음으로
어떤 일정지역에 전하가 몰려 있기가 쉽습니다. 이런 조건이 접지된 벽근처에서 형성된다 벽의 전위와 차이가
생기고 (전위와 하전량은 비례함으로) 절연체에 쌓인 전하는 접지쪽으로 빠져나가는 아크가 발생하게 됩니다.
국부적으로 검은 아크자국이 그래서 있는 것 입니다. 물론 이때 절연체를 도체로 바꾸고 접지시키면 해결이 되지만
절연체가 도체가 되었을 경우 처리하고자 하는 시편이 부도체라면 시편과 절연체(Carrier)사이에서 절연체와 벽사이에서
생긴 것과 같은 현상이 일어나 시편에 해가 될 수 있게 됩니다. 따라서 절연체의 전위는 시편의 입장에서 고려해야 할
사항입니다.
문의드리고자 하는것은. DC SPT의 구조에 대하여 의문점이 있어 문의드립니다.
■ 구조는 DC power supply[10kw] -> Cathode[magnetic] ->
target -> 기판을 코팅
■ process gas : Argon
In-line 구조로서, 캐리어가 무빙하면서 코팅이되는 방식입니다.
캐리어를 구동시켜주는 롤러, 상부를 지지하여 주는 롤러는 테프론으
로 절연처리되어있습니다.
■ 캐리어는 floating 되게 되어있는 구조입니다. 현재까지 floating에
큰 문제를 두지 않았는데요.
floating이 깨지게 되면, 어떤 현상이 일어나는지 궁금합니다.
(조금 자세히 알고싶습니다)
답변 ::
문의하신 질문에는 사실 장치를 제대로 보지 않고서 답하기는 매우 어려울 것 같습니다.
일단 그려지는 그림으로 답을 드린다면 절연되어 있은 carrier가 플라즈마 내에 오래 머무르고 있는
상태는 아니라 생각됩니다. 해서 접지시킨 경우와 별 차이가 없어 보이나 굳이 접지를 고려할
이유또한 없을 것 입니다. 만일 접지 시킨다면 구조상 다른 것이 변해야 하는 어려움을 수반할 터이니까요.
절연체가 플라즈마 내에 오래 머무르다 보면 절연체의 전위가 변하게 됩니다. 플라즈마 쉬스를 고려해 보면
답이 나오지요. 또한 절연체에는 전자에 의한 음전하가 쌓이게 되고 절연체는 전기 전도도가 낮음으로
어떤 일정지역에 전하가 몰려 있기가 쉽습니다. 이런 조건이 접지된 벽근처에서 형성된다 벽의 전위와 차이가
생기고 (전위와 하전량은 비례함으로) 절연체에 쌓인 전하는 접지쪽으로 빠져나가는 아크가 발생하게 됩니다.
국부적으로 검은 아크자국이 그래서 있는 것 입니다. 물론 이때 절연체를 도체로 바꾸고 접지시키면 해결이 되지만
절연체가 도체가 되었을 경우 처리하고자 하는 시편이 부도체라면 시편과 절연체(Carrier)사이에서 절연체와 벽사이에서
생긴 것과 같은 현상이 일어나 시편에 해가 될 수 있게 됩니다. 따라서 절연체의 전위는 시편의 입장에서 고려해야 할
사항입니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [274] | 76811 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20240 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68736 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92569 |
297 | MATCHER 발열 문제 [3] | 1431 |
296 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1430 |
295 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1425 |
294 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1417 |
293 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1410 |
292 | dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] | 1404 |
291 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1398 |
290 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1397 |
289 | 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] | 1395 |
288 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1391 |
287 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1381 |
286 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1378 |
285 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 1377 |
284 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1362 |
283 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1358 |
282 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1354 |
281 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1353 |
280 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1349 |
279 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1340 |
278 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1339 |