Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요

2010.01.20 17:55

송기철 조회 수:23760 추천:200

안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [270] 76745
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20216
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68706
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92304
289 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1427
288 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1424
287 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1420
286 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1410
285 플라즈마 관련 교육 [1] 1408
284 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1402
283 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1395
282 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1390
281 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1388
280 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1382
279 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1376
278 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1375
277 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1370
276 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1356
275 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1354
274 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1349
273 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1345
272 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1333
271 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1330
270 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1325
쓰기
태그

Boards

XE Login