건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요?? 

차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77046
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20370
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57280
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68827
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92828
301 Ar plasma power/time [1] 1448
300 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1447
299 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1444
298 MATCHER 발열 문제 [3] 1442
297 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1440
296 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1428
295 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1427
294 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1423
293 플라즈마 관련 교육 [1] 1420
292 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1410
291 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1409
290 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1398
289 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1396
288 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1394
287 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1394
286 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1387
285 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1375
284 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1372
283 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1360
282 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1358

Boards


XE Login