안녕하십니까

서울과학기술대학교에서 external DC voltage biasing을 이용한 여러 어플리케이션에 대해서 연구하고 있는 학생입니다.

먼저 플라즈마는 RF plasma이며 바이어싱을 걸어주기 위해 파워서플라이와 저항을 이용하여 회로를 구성하였고 바이어싱이 걸리는 기판은 일반적인 탐침이 아님 Planar한 Steel substrate입니다.

기판에 바이어싱이 걸리는지 확인하기 위해 Langmuir probe의 원리를 이용하여 기판에 도달하는 전류를 측정하려고 하는데 저희의 경우 Remote 플라즈마를 사용하고 있기 때문에 플라즈마로 기판이 직접 들어가는 것이 아니라 플라즈마 발생지점 수직선상으로 밑에 위치하게 됩니다.

이런 경우에도 Langmuir probe의 이상적인 I-V Characteristics가 나타나는지 궁금합니다.

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