안녕하세요, 교수님. 반도체 업종 엔지니어로 일하고 있는 김기영입니다.

 

다름 아니라 보통 Pressure 영역대가 낮아질수록 아킹이 더 잘 발생한다고 하는데

 

왜 Low Pressure 영역이 High Pressure 영역보다 Arcing 이 취약한지 문의드립니다.

 

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76875
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92698
297 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1441
296 MATCHER 발열 문제 [3] 1438
295 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1436
294 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1432
293 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1425
292 플라즈마 관련 교육 [1] 1416
291 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1413
290 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1407
289 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1405
288 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1398
287 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1393
286 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1387
285 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1379
284 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1377
283 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1371
282 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1366
» low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1364
280 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1357
279 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1355
278 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1346

Boards


XE Login