Sheath floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점

2008.10.26 11:30

김한성 조회 수:22855 추천:420

안녕하십니까? 반도체 제조업에 종사하는 엔지니어입니다.

플라즈마 기초 토픽들을 공부하던 중 이해가 안가는 부분이 있어서 이렇게 문의드립니다.

플라즈마에 isolated (floating) substrate 를 넣었을 때, 전자와 이온이 각각 nv/4 의 flux 로

입사하고, 속도가 더 빠른 전자가 먼저 기판을 charging 시켜서 sheath 형성의 발판을

마련한다고 여러 책들에 소개되고 있는데요,

전자나 이온이 왜 기판에 capture 가 될까요? 초기에 기판은 중성이 아닌가요?

그냥 튕겨나가지 않고 왜 기판을 charging 시키는 지 이해가 되지를 않습니다. 이것을 설명할

수 있는 화학적, 혹은 전기적인 해석이 가능할까요?

답변 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76839
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20251
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68743
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92582
276 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1331
275 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1330
274 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1323
273 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1320
272 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1314
271 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1303
270 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1296
269 플라즈마 기초입니다 [1] 1290
268 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1276
267 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1274
266 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1255
265 플라즈마 챔버 [2] 1253
264 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1248
263 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1248
262 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1243
261 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1240
260 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1222
259 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1201
258 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1201
257 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1190

Boards


XE Login