안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.

O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금

다를 수 있다는 내용을 보았는데요..


현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우

다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금

합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76414
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19992
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57066
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68542
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91339
254 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8566
253 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13030
252 MFP에 대해서.. [1] 7808
251 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6565
250 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7686
249 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10263
248 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 8108
247 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24271
246 Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? 15873
245 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15775
244 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] 21872
243 cross section 질문 [1] 19646
242 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29177
241 RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] 17632
240 ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] 21163
239 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24714
238 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22666
237 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] 19820

Boards


XE Login