안녕하세요~

반도체 회사에 근무하는 엔지니어 입니다.

ICP Type의 장비를 다루는데 RF source가 Top(1.8MHz)/Side(2.0MHz)/Bias(13.56MHz)로 구성되어 있고,

Ar gas로 50mTorr의 압력으로 상승 시킨후에 Top RF부터 인가하게 됩니다. (Top의 Antenna 권선수 n= 4 , Side=2)

궁금한 점은 Top을 plasma ignition시 잘 켜지는데, Side부터 인가하게 되면 reflection이 input값만큼 뜨면서 ignition fault가 발생합니다.

TOP이 권선수가 많아 전자의 속도가 더 빨라서 그런것인가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77240
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68903
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92951
286 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 9030
285 안녕하세요 교수님. [1] 9067
284 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 9271
283 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] 9277
282 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 9539
281 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9560
280 대기압 플라즈마에 대해서 9651
279 수중 방전 관련 질문입니다. [1] 9685
278 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. 9846
» ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9912
276 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 10049
275 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10338
274 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10399
273 Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] 10403
272 RGA에 대해서 10557
271 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10584
270 DC bias (Self bias) [3] 11353
269 플라즈마 살균 방식 [2] 11510
268 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11577
267 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11673

Boards


XE Login