안녕하십니까. 반도체 엔지니어로 일하고있는 류호준이라고합니다.

먼저 질문방에 답변해주시는 좋은 내용 아주 감사하게 보고있다고 말씀드리고싶습니다.

제가 질문하려고하는 내용은 CCP방식을 사용하는 CVD설비 HEATER 교체 이후 SELF BIAS(ELEC BIAS) 값이 상승하는 문제에 대해서입니다.

일단 설비의 모양은 CHAMBER 위쪽에 샤워헤드가 있고 아래에 HEATER가 있는 방식이며 RF를 사용하여 SIN 막질을 덮는 설비입니다.

샤워헤드가 HEATER보다 크며 RF PATH는 RF GENERATOR에서나와 SHOWER HEAD를 거쳐 HEATER로 가며 SELF BIAS를 모니터링 하는 곳은 RF GENERATOR입니다.

설비에서 부득이하게 HEATER를 세정품(표면세정처리)을 사용해서 장착하면 SELF BIAS값이 기존의 값보다 너무 높게 모니터링되는

문제가 있어 HEATER 교체가 어려운 상황입니다. 여기서 몇가지 질문을 드리고 싶습니다.

1. 해당 문제가 CCP방식의 설비라 기존에는 HEATER 표면에 덮여 있는 막질이 덮여있어 SELF BIAS값이 문제가 없다가 세정된 HEATER가 들어가면 HEATER 표면에 막질에 덮여있지 않아 C값이 바껴서 전하량이 바뀌고 이에 SELF BIAS 값이 바뀌는 것이 맞을까요?

2. 저희가 모니터링하는 SELF BIAS값이 음수와 양수가 있는데 제가 알기로는 SELF BIAS값이 음수가 맞다고 알고있습니다. SELF BIAS값이 양수인 경우가 발생할 수 있을까요?

3. HEATER를 교체할 때 비슷한 막질인 SICN 막질을 덮는 설비의 HEATER를 떼와서 SIN 설비에 달아주면 SELF BIAS가 상승하는 문제가 없는데 비슷한 원리로 세정품 HEATER를 장착하고 SELF BIAS값을 낮출수 있는 방법이 있을까요?

4. 다른 방법이 있다면 알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [257] 76444
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20001
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57074
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68544
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91348
237 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1133
236 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1131
235 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1130
234 Group Delay 문의드립니다. [1] 1128
233 자기 거울에 관하여 1125
232 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1123
231 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1113
230 공정플라즈마 [1] 1111
229 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1108
228 wafer bias [1] 1101
227 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1096
226 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1092
225 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1083
224 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1079
223 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1076
222 전자 온도 구하기 [1] file 1072
221 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1066
220 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1060
219 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1059
218 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1055

Boards


XE Login