Remote Plasma ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요?
2012.02.25 11:04
ICP dry etch 장비에 대해 이제막 공부를 시작하고 있는데요..
RF Power로 부터 가해지는 전자기파가 도체 내를 통과할 수 있는 깊이가 skin depth라고 알고 있는데
그렇다면 skin depth가 클수록 전자기파가 플라즈마에 영향을 주어 플라즈마 밀도도 높아져서
etch rate 측면에서 볼 때 좋아진다고 생각이 되는데... 이런 메카니즘으로 이해하는것이 맞는 건지요..?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76819 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20247 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57191 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68739 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92578 |
| 252 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13062 |
| 251 | MFP에 대해서.. [1] | 7827 |
| 250 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6570 |
| 249 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7704 |
| 248 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10310 |
| 247 | 플라즈마 발생 억제 문의 [1] | 8125 |
| » | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24350 |
| 245 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15886 |
| 244 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15806 |
| 243 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22161 |
| 242 | cross section 질문 [1] | 19720 |
| 241 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29270 |
| 240 | RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] | 17717 |
| 239 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21198 |
| 238 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24758 |
| 237 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22701 |
| 236 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19841 |