Etch 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
2017.09.09 21:02
안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.
몇가지 질문 드리려 가입했습니다.
1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)
2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.
답변 달아주시면 감사하겠습니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20847 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93631 |
| 279 | 수중 방전 관련 질문입니다. [1] | 9715 |
| 278 | 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. | 9860 |
| 277 | ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] | 9968 |
| 276 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 10072 |
| 275 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10378 |
| 274 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10420 |
| 273 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10454 |
| 272 | RGA에 대해서 | 10579 |
| 271 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10836 |
| 270 | DC bias (Self bias) [3] | 11424 |
| 269 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11572 |
| 268 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11725 |
| 267 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 12025 |
| 266 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12390 |
| 265 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12659 |
| 264 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12827 |
| 263 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12859 |
| 262 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13226 |
| 261 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13451 |
| 260 | 플라즈마의 상태 | 14107 |