DC glow discharge DC Plasma 전자 방출 메커니즘
2018.04.19 11:22
반도체 장비업체에서 일하고 있는 사람입니다.
전기, 전자 전공으로 최근에 Plasma에 관심이 생겨서 공부하고 있습니다.
DC Plasma에서 전자방출 메커니즘이 여러가지가 있는 것으로 알고 있습니다.
타운센트 방전 이론에 의한 알파, 감마 작용는 이해가 가는데,
1. 플라즈마 내부 광자에 의한 음극에서의 이차 전지 방출(Photoemission)
2. 준안정(metastable) 종이 음극을 때릴 때 이차 전자 방출
위의 두가지가 무엇을 의미하는지 잘 모르겠습니다.
알고계시는 선배님들 알려주시면 감사하겠습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78047 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20850 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57738 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93636 |
279 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1274 |
278 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1259 |
277 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1250 |
276 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1245 |
275 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1239 |
274 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1234 |
273 |
전자 온도 구하기
[1] ![]() | 1227 |
272 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1227 |
271 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1224 |
270 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1224 |
269 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1220 |
268 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
![]() | 1211 |
267 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1205 |
266 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1205 |
265 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1203 |
264 | 공정플라즈마 [1] | 1199 |
263 | wafer bias [1] | 1196 |
262 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1192 |
261 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1191 |
260 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1188 |