안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 장비엔지니어 입니다.

 

에칭을 진행하는 특정 공정에서 특정 Step을 진행하는 중간에

 

60Mhz만 Ref가 튀면서 Bias Power도 튀는 현상이 있습니다..

 

27Mhz, 2Mhz도 사용하지만 해당 Power의 Ref는 정상이구요..

 

매쳐나 Generator를 바꿔봐도 현상이 똑같은거보면 chamber 내부에서 분위기가 달라지면서 발생하는 현상일 것 같은데

 

어떤 이유들이 이런 현상을 일으킬 수 있을까요..?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [130] 5620
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16924
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51353
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64229
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84331
133 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 695
132 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 691
131 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 689
130 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 682
129 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 682
128 플라즈마 충격파 질문 [1] 678
127 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 672
126 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 658
125 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 657
124 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 652
123 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 649
122 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 649
121 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 643
120 전자 온도 구하기 [1] file 638
119 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 628
118 플라즈마 관련 교육 [1] 624
117 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 623
116 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 621
115 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 620
114 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 611

Boards


XE Login