매우 어려운 문제입니다. 정보가 매우 많아야 알 수 있는 문제인 것 같습니다.

데이터를 기반으로 가설을 세워야 해결을 빨리 할 수 있습니다.

1. 혹은 다른 환경적 요인에 의해서 plasma impedance가 불안정 할 때 생길 가능성 : 예를 들어 패턴글라스를 척에 올려놓고 그 기판에 플라즈마 환경에 의해 회로가 순간적으로 그라운드에 쇼트되었을 경우 chamber impedance는 크게 변경됩니다.(Match C1, C2 혹은 Load tune, DC bias 전압, RF peak sensor reading 값 등 FDC data를 보고 판단하는 것이 좋을 것 같습니다.)

2. 60MHz 발전기와 Match 사이의 동축케이블 길이를 조정해 보기 : 고주파로 상향이 될 수록 동축케이블 λ가 중요합니다. cable 주파수 주기에 의한 반사파도 존재합니다. 즉 교류의 phase를 조절하는 방법으로 이해하시면 될 것 같습니다.  

3. Match box에 전압 전류가 얼마나 흐르고 있는지 알아보기 : spec in의 전류나 전압을 사용해야 Match가 올바른 tuning을 수행 할 수 있습니다. 

좋은 질문과 훌륭한 답변에 감사합니다.

추가해서 현재 식각 공정 장비에서 3개의 주파수를 이용하는 장비가 이용되고 있습니다. 여기서 주파수는 전원 주파수를 의미하고, 주파수의 크기를 논의할 때 기준이 되는 것은 플라즈마 주파수 입니다. 플라즈마 주파수는 플라즈마내의 전자 주파수와 이온 주파수가 있고, 전자 주파수는 대략 GHz 영역이고 이온 주파수는 대략 MHz 미만의 영역에서 거동합니다. 이는 모두 밀도에 비례하며 고밀도가 되면서 더욱 주파수는 높아집니다. 따라서 60/13.56/2M 등의 조합에서 60M와 가장 잘 반응하는 것은 전자들이고 이온은 대당 주파수의 성질에 충분히 대응하지 못한다고 평가할 수 있습니다. 반면 2M는 주로 이온의 거동까지도 크게 영향을 미치게 함을 알 수 있고, 따라서 이를 바이어스 전원이라 할 수 있겠습니다.  여기서 13.M는 조금씩 기여하게 되며 이는 주로 passivation 쪽의 해리에 영향을 미치는 것이 아닐까? 하는, 또 하나이 조절 knob으로서 활용이 된다고 볼 수 있습니다. 물론 저밀도 상황에서는 13M는 주로 이온화에 영향을 미칩니다.

종합하면, 60M 는 전자 가열과 플라즈마 생성에 직접 영향을 미치게 되므로서 플라즈마 임피던스에 민감한 인가 전력의 특성을 가지게 됩니다. 즉 60M rf 전자기 파와 플라즈마 반응이 심하므로 먼저 60M 전원에 반사파가 커짐을 플라즈마 상태의 변화가 큼을 의미하며, 반대로 플라즈마로 흐르는 전류에 영향을 받는 인자가 발생함에 민감하게 반응하는 주파수가 됩니다. 플라즈마가 바뀌면 bias 특성은 자연히 바뀌고 후속해서 2M 임피던스도 따라서 변동을 하게 되며 해당 주파수의 반사파가 후속해서 발생하게 됩니다. 

반사파를 개선하려면, 플라즈마 변동의 원인 (전원이 아닌 기타 기생 플라즈마 - 아크 등) 및 재료 표면의 변화 (부품 및 조립 간격 변화 및 박막 형성)등의 상태 확인이 필요할 수도 있습니다. chamber impedance라 하는데, 이는 고주파 전류 (플라즈마 전류)가 흘러 나가는 경로의 상태도 임피던스  변동의 원인에 포함해서 같이 조사해 볼 필요가 있어 보입니다.

원인을 찾게 되시면 어떤 문제였는가 알려 주세요.