ESC 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다.
2011.04.05 11:28
안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.
O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금
다를 수 있다는 내용을 보았는데요..
현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우
다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금
합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20847 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93632 |
259 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 10072 |
258 | 고온 플라즈마 관련 | 8096 |
257 | 안녕하세요 교수님. [1] | 9125 |
256 | Lecture를 들을 수 없나요? [1] | 8603 |
255 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13451 |
254 | MFP에 대해서.. [1] | 7870 |
253 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6589 |
252 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7736 |
251 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10378 |
250 | 플라즈마 발생 억제 문의 [1] | 8150 |
249 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24490 |
248 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15915 |
247 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15848 |
246 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22508 |
245 | cross section 질문 [1] | 19764 |
244 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 31226 |
243 | RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] | 17851 |
242 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21252 |
241 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24818 |
240 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22742 |