Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.

2019.05.22 16:11

Beatrice 조회 수:716

안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76736
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
229 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1104
228 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1087
227 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1081
226 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1071
225 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1066
224 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1064
223 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1059
222 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1059
221 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1056
220 Plasma Arching [1] 1051
219 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1050
218 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
217 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1038
216 플라즈마 코팅 [1] 1036
215 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
214 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1029
213 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1022
212 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1016
211 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1013
210 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
쓰기
태그

Boards

XE Login