안녕하세요?

저는 국내 PKG회사에 다니고 있는 공정 Eng'r입니다.

PKG공정에서 O2 Plasma 처리후 봉지재(Epoxy Mold Compound)를 밀봉하는 공정이 있는데

봉지재내의 Filler가 Si 계면과 분리되고 봉지재의 Resin만 Si 기판에 Molding이 되는 현상이 발생합니다.

Googling을 해 본 결과, Electrostatically charge된 Filler가 Plasma를 맞은 기판과 같은 Charge를 띄었을때 이 증상이 날 수 있다고 합니다.

Plasma별 대전된 극상(+인지, -인지)을 알 수 있을까요?

참고로 저희 회사에서는 O2, N2, Ar을 사용할 수 있습니다. 장비의 Parameter를 변경하여 극성을 바꿀 수 있는지도 문의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76736
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
229 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1104
228 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1087
227 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1081
226 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1071
225 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1066
224 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1064
223 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1059
222 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1059
221 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1056
220 Plasma Arching [1] 1051
219 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1050
218 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
217 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1038
216 플라즈마 코팅 [1] 1036
215 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
214 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1029
213 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1022
212 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1016
211 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1013
210 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011

Boards


XE Login