Plasma Source H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련
2020.06.09 18:30
안녕하세요 플라즈마 소스개발을 하고 있는 김상규라고 합니다.
전자기장 시뮬레이션을 통해 ICP Source 를 개발 중에 있습니다만 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.
조건 : 1000mm X 1000mm chamber , process gap 250mm , icp source , H-field 관측 , Source only (bias x)
현상 : 상부 Antenna 근처에서 측정(antenna로 부터 30mm) Map 이 center high 인데 substrate (substrate 표면으로 부터 5mm) 로 내려오 면 center 가 low 가 됨. (stage 에 절연층을 쌓아도 비슷함)
질문 : side, 4corner 가 low 로 되는 것은 챔버 벽면으로 electron 이 빠져나가면서 그럴수 있다고 생각 됩니다만
왜 Chamber 벽면에서 가장 먼 가장자리(substrate center position) 의 field 가 약해지는 것 인지 궁금합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76749 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20217 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57170 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68707 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92307 |
230 | 플라즈마의 어원 | 16335 |
229 | CCP 의 electrode 재질 혼동 | 16485 |
228 | 몇가지 질문있습니다 | 16578 |
227 | 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] | 16658 |
226 | nodule의 형성원인 | 16761 |
225 | sputter | 16845 |
224 | Virtual Matchng | 16853 |
223 | ICP 식각에 대하여... | 16917 |
222 | 플라즈마 처리 | 16932 |
221 | ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. | 16946 |
220 | 형광등으로 부터 플라즈마의 이해 | 17001 |
219 | RF에 대하여,, | 17044 |
218 | PSM을 이용한 Radical측정 방법 | 17073 |
217 | Light flower bulb | 17079 |
216 | 플라즈마를 이용한 발광시스템에 관한 연구 | 17087 |
215 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17191 |
214 | Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. | 17335 |
213 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 17425 |
212 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17455 |
211 | RF 변화에 영향이 있는건가요? | 17510 |
ICP H field 측정 관련 Hopwood 1993 (JVST A11, 152)를 참고해 보세요. H field는 1/.r 로 감소하므로 거리가 멀어지면 줄고, 유도기전력
E-theta 크기도 감소하게 됩니다. 대략 skin depth 내에서 에너지 전달하므로 안테나 근방에서 대부분의 플라즈마가 형성되고, 플라즈마는 확산하여 생성부 근방 (안테나 근방)에서는 센터 peak 형태, 아래로 내려오면서 점차 peak는 완만해 질 수 있습니다. 가열 공간에서 확산이 심한 조건이면 하부에서 플라즈마 분포는 중심부가 줄어드는 쌍봉 형태의 모양을 가질 수 있으므로 시뮬레이션은 크게 문제가 될 것 같지 않습니다.
따라서 전기장 분포와 함께 플라즈마 수송 특성을 안테나 면적/전력/운전압력/전극위치등의 장비 윤전 조건과 구조 조건에 대해 추가 해석이 필요해 보입니다. 아울러 ICP 기전과 관련해서 표준과학연구원(KRISS)에 계시는 이효창박사님께 문의드려 보시면 좋은 답변 구하실 수 있겠습니다.