Ashing H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점...

2010.04.10 19:15

Park Sang Il 조회 수:24673 추천:163

안녕하세여... 자료를 찾던중 도저히 모르겠어서 답변 부탁드립니다. 현재 H2 플라즈마로 표면 처리를 하고 있습니다. 그러나, 폴리머 계통이 잘 Ashing되지 않아, O2를 쓰려고 합니다. 몇몇 업체에서는 미량의 산소를 수소와 함께 쓰는 것으로 알고 있습니다. 그러나 산소와 수소가 섞이면 반응하는 것으로 알고 있어서 위험할 것 같아서 질문드립니다. 수소 플라즈마에 산소를 섞으면 얼마의 비율로 섞어야 하는지 궁금합니다. 정확한 수치가 없다면, 제가 찾아봐야할 관련자료라도 알려 주시면 고맙겠습니다. 감사합니다. 답변 꼭 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76888
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20284
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57204
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92712
759 플라즈마 온도 27811
758 DBD란 27756
757 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27652
756 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27219
755 이온과 라디칼의 농도 file 27020
754 self bias (rf 전압 강하) 26746
753 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26489
752 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26215
751 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26206
750 충돌단면적에 관하여 [2] 26186
749 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25587
748 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24991
747 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24893
746 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24891
745 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24779
744 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24766
743 plasma와 arc의 차이는? 24761
» H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24673
741 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24619
740 플라즈마가 불안정한대요.. 24524

Boards


XE Login