안녕하세요.

저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.

궁금한게 있어 문의 드립니다.

열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.

예를 들어  Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고 

Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면  열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.

(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)

그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?

혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.

제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.

감사합니다.




번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76414
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19992
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57066
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68542
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91339
139 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4089
138 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1807
137 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1064
136 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3938
135 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1110
134 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1228
133 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 706
132 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2592
131 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1921
130 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 830
129 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 394
128 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1054
127 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1130
126 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 731
125 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 660
» Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1091
123 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2331
122 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 857
121 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2190
120 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1322

Boards


XE Login