Process 타겟 임피던스 값과 균일도 문제
2021.02.18 00:14
안녕하세요.
반도체 관련 업계에서 근무중인 직장인입니다.
타겟은 Al2O3 산화막으로 덮혀 있는 상태이고, 타겟에 걸리는 캐패시턴스 또는 임피던스가 달라
플라즈마 발생시 각각의 밀도 차이로 산화코팅막이 낮게 증착될 수 있는지요
답변 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76951 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20315 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57238 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68787 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92778 |
144 | 교육 기관 문의 | 17783 |
143 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17567 |
142 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17205 |
141 | 플라즈마 처리 | 16936 |
140 | ICP 식각에 대하여... | 16930 |
139 | sputter | 16852 |
138 | nodule의 형성원인 | 16765 |
137 | 몇가지 질문있습니다 | 16580 |
136 | Sputter | 15893 |
135 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15813 |
134 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15650 |
133 | 박막 형성 | 15301 |
132 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15056 |
131 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14739 |
130 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12545 |
129 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11504 |
128 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10324 |
127 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9542 |
126 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9266 |
125 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8623 |