Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.
2021.10.22 11:47
안녕하세요.
반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.
텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,
SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,
SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.
텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데
해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서
Etchrate 를 높이기 위해서는
SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.
추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77007 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20345 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57267 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68811 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92811 |
144 | 교육 기관 문의 | 17783 |
143 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17573 |
142 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17205 |
141 | 플라즈마 처리 | 16936 |
140 | ICP 식각에 대하여... | 16930 |
139 | sputter | 16852 |
138 | nodule의 형성원인 | 16767 |
137 | 몇가지 질문있습니다 | 16580 |
136 | Sputter | 15895 |
135 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15813 |
134 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15650 |
133 | 박막 형성 | 15301 |
132 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15057 |
131 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14739 |
130 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12546 |
129 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11515 |
128 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10326 |
127 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9544 |
126 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9268 |
125 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8626 |