안녕하세요.

CVD 공정 엔지니어로 근무 중인데, 전공과 무관한 업무를 하다보니 막히는 경우가 많은데 교수님께 많은 도움을 받고 있습니다. 감사합니다.

다름이 아니라 SiO2 박막 Depo 후, F 입자를 이용하여 Clean을 진행하는데 박막 밀도가 높을 수록 Clean의 효율이 감소하는 결과를 확인했습니다.

제가 추정하는 이유는 두 가지 인데, 제가 추정하는 이유가 맞는지 교수님의 전문적인 견해가 궁금하여 글을 작성합니다..

 

 1) 막질 밀도가 낮을 수록 막질이 phorous하여 빈 공간으로 Radical이 침투하기 용이하여 반응성 증가

 2) 막질 밀도가 낮을 수록 같은 두께의 박막 내 SiO2 분자수가 적기 때문에 제거해야 할 SiO2 분자수가 적어 Clean 효율 증가

 

항상 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78038
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20848
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93633
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 777
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2376
150 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1084
149 RF Sputtering Target Issue [2] file 677
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 2056
147 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 629
146 Polymer Temp Etch [1] 758
145 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 547
144 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 633
143 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1187
142 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1140
141 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 958
140 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2113
» SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4219
138 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2275
137 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1220
136 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 4015
135 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1245
134 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1518
133 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 775

Boards


XE Login