Etch RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소
2022.03.24 15:39
안녕하십니까, 반도체분야에서 공부하고 있는 비전공자 학생입니다.
최근 RIE 장비로 Etching test를 진행 중 궁금한것이 생겨서 질문드립니다.
RIE 장비에서 Etching rate에 크게 기여하는 부분이 dc-bias라고 알고 있습니다.
가스 유량, 압력, 그리고 power 심지어 reflected power 마저도 동일한데 dc-bias만 대략 70V나오던 것이 50V로 줄어드는 현상이 있었습니다. 혹시 이러한 간간히 일어나는 건가 싶어 질문남겨드립니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76855 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20262 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57193 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92610 |
143 | 교육 기관 문의 | 17782 |
142 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17514 |
141 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17195 |
140 | 플라즈마 처리 | 16934 |
139 | ICP 식각에 대하여... | 16923 |
138 | sputter | 16850 |
137 | nodule의 형성원인 | 16764 |
136 | 몇가지 질문있습니다 | 16578 |
135 | Sputter | 15886 |
134 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15807 |
133 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15646 |
132 | 박막 형성 | 15299 |
131 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15053 |
130 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14736 |
129 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12512 |
128 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11465 |
127 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10315 |
126 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9526 |
125 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9265 |
124 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8615 |