학부에서 현재 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 학생입니다. 

현재 RIE를 통해 oxide가 깔린 웨이퍼를 dry etching 하는 실험을 진행중에 있습니다. 

실험을 통해 oxide를 rf power 75W, 시간은 1분으로 고정시킨후 CF4가스를 10sccm에서 50sccm으로 증가시키면서 etch rate를 측정한 결과 etch rate가 감소하는 결과가 나왔습니다. 제 생각에는 plasma에 있는 이온이 웨이퍼로 이동하는 과정에서 gas의 밀도가 높아져 scattering이 증가해 physical etch가 감소하고 그로 인해 oxide의 bonding이 덜 깨져 radical에 의한 chemical etching도 감소한 것으로 예상되는데 제 생각이 맞는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103309
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24714
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61523
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73517
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105944
154 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 947
153 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 957
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 985
151 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 1017
150 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 1018
149 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [단위 Chamber의 PM 이력] [1] 1027
148 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다. [플라즈마 확산 시간 및 표면 반응 시간 유지] [2] 1071
147 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1077
146 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 1079
145 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 1099
144 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 1100
143 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 1145
142 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1171
141 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 1228
140 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1241
139 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1265
138 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1302
137 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1338
136 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1341
135 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching] [3] 1364

Boards


XE Login