Etch Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.

2019.12.01 17:46

이윤표 조회 수:2966

학부에서 현재 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 학생입니다. 

현재 RIE를 통해 oxide가 깔린 웨이퍼를 dry etching 하는 실험을 진행중에 있습니다. 

실험을 통해 oxide를 rf power 75W, 시간은 1분으로 고정시킨후 CF4가스를 10sccm에서 50sccm으로 증가시키면서 etch rate를 측정한 결과 etch rate가 감소하는 결과가 나왔습니다. 제 생각에는 plasma에 있는 이온이 웨이퍼로 이동하는 과정에서 gas의 밀도가 높아져 scattering이 증가해 physical etch가 감소하고 그로 인해 oxide의 bonding이 덜 깨져 radical에 의한 chemical etching도 감소한 것으로 예상되는데 제 생각이 맞는지 궁금합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76711
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57163
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68686
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92251
142 ICP 후 변색 질문 724
141 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 736
140 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 743
139 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 753
138 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 842
137 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 868
136 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 877
135 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 888
134 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 978
133 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1006
132 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1054
131 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1056
130 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1070
129 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1086
128 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1101
127 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1109
126 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1120
125 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
124 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1153
123 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1163
쓰기
태그

Boards

XE Login