학부에서 현재 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 학생입니다. 

현재 RIE를 통해 oxide가 깔린 웨이퍼를 dry etching 하는 실험을 진행중에 있습니다. 

실험을 통해 oxide를 rf power 75W, 시간은 1분으로 고정시킨후 CF4가스를 10sccm에서 50sccm으로 증가시키면서 etch rate를 측정한 결과 etch rate가 감소하는 결과가 나왔습니다. 제 생각에는 plasma에 있는 이온이 웨이퍼로 이동하는 과정에서 gas의 밀도가 높아져 scattering이 증가해 physical etch가 감소하고 그로 인해 oxide의 bonding이 덜 깨져 radical에 의한 chemical etching도 감소한 것으로 예상되는데 제 생각이 맞는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5604
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16886
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51348
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64212
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84188
112 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 993
111 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1015
110 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1016
109 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1097
108 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1098
107 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1119
106 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1158
105 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1167
104 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1194
103 Ar plasma power/time [1] 1220
102 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1239
101 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1259
100 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1288
99 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 1323
98 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1421
97 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1456
96 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1493
95 터보펌프 에러관련 [1] 1500
94 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1509
93 etching에 관한 질문입니다. [1] 1560

Boards


XE Login