안녕하세요 교수님

반도체 후공정 회사를 다니고 있는 직장인입니다.

 

공정 진행 후 leakage test 결과 leakage current가 높게 나온 문제점이 발생하였습니다.

내부 엔지니어 문의 결과 O2 descum공정이 metal residue를 없애는데 도움을 준다는 답변을 받았습니다.

따라서 추가적으로 O2 descum을 진행했지만, leakage 문제는 개선되지 않았습니다.

metal residue를 없애기 위해 다른 가스(Ar, H2N2, CF4 등)를 이용한 플라즈마가 더 효과적인지 알고싶어 질문드립니다.

 

혹은, leakage를 개선할 수 있는 방법이 있다면 조언해주시면 감사드립니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77218
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68901
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92950
144 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 741
143 ICP 후 변색 질문 743
142 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 745
141 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 750
140 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 770
139 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 852
138 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 858
» 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 900
136 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 908
135 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 917
134 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1019
133 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1080
132 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1094
131 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1099
130 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1110
129 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1124
128 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1142
127 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1148
126 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1149
125 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1169

Boards


XE Login