안녕하세요 저는 반도체관련 업체에서 일하고 있는 최철운입니다.

ESC쪽을 공부하면서 Plasma Dechuck process가 궁금해졌는데요.

J-R TYPE ESC 같은 경우 일반적으로  ESC쪽의 Voltage를 끈 후 wafer의 잔여 전하를 Plasma를 이용해 dechuck을 한다고하는데 이는 어떤 process로 행해지는 지 궁금합니다. 체 추측으로는 plasma들이 wafer를 때리면서 중성화를 시켜 dechuck을 시킨다고 생각이 되는데 맞는지요?


또한 궁금한게 Columb Force방식의 ESC는 voltage를 끌시 잔여 전하가 남지 않기때문에 바로 Dechuck이 되며 plasma를 킬필요가 없다고하는데 Plasma dechuck을 사용하여 particle 개선 효과가 있는지 궁금합니다.

 Plasma Dechuck을 사용할시 챔버 내의  잔류 가스들을 가두고 wafer표면에 떨어지게 막으면서 pump쪽으로 흐르게하는 것인가요? 어떤 원리로 particle 제거 효과가 있는지... 궁금합니다.


감사합니다~

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76748
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68707
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92306
750 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 309
749 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 705
748 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 397
747 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 757
746 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 747
745 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 373
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 317
743 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 291
742 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 507
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 392
740 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 485
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 684
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 522
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 422
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 311
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 347
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 567
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 251
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 348
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 220

Boards


XE Login