안녕하십니까 교수님


공정 실습 중 Dechucking 이슈에 대해 궁금증이 있어 이렇게 글을 남깁니다.

제가 확인한 이슈는 dechucking 이후 핀업 진행 시 웨이퍼가 슬라이딩 하는 문제였는데, 해당 이슈에 대해 config값을 (0->5)변경하여 He flow가 되도록 조치했다는 것을 알았습니다.

chucking 과정중 He의 역할이 온도를 낮추는 역할 정도로 알고 있는데, He 가스가 chucking에서 어떤 역할들을 하는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76739
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20211
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68703
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92294
749 플라즈마 온도 27782
748 DBD란 27720
747 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27618
746 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27209
745 이온과 라디칼의 농도 file 26997
744 self bias (rf 전압 강하) 26713
743 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26469
742 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26187
741 충돌단면적에 관하여 [2] 26165
740 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26123
739 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25582
738 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24987
737 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24875
736 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24856
735 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24773
734 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24748
733 plasma와 arc의 차이는? 24671
732 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24648
731 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24583
730 플라즈마가 불안정한대요.. 24518

Boards


XE Login