Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching]

2022.12.07 14:13

반도체좋아 조회 수:30335

안녕하세요.

 

Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.

다름이 아니라, 

   최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는

   내용의 기사를 봤습니다.

 

질문은

   1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?

   2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?

   3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?

 

고수님들의 답변 부탁드립니다.

가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103354
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24717
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61537
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73521
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105954
794 Druyvesteyn Distribution 376
793 플라즈마 식각 커스핑 식각량 226
792 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [Pachen's law 이해] [1] 474
791 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 121
790 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 430
789 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [Sheath energy] [1] 451
788 플라즈마 설비에 대한 질문 306
787 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [Lorentz force와 ExB drift 이해] [1] 503
786 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [Druyvesteyn distribution 이해] [1] 865
785 skin depth에 대한 이해 [Stochastic heating 이해] [1] 844
784 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [Impedance matching 이해] [1] 483
783 반사파에 의한 micro arc 질문 [VHF 전력 인가] [2] 384
782 ICP에서의 Self bias 효과 [DC offset voltage와 floating potential] [1] 827
781 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [식각 교재 참고] [1] file 664
780 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 540
779 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 409
778 플라즈마 밀도와 라디칼 [플라즈마 충돌 반응] [1] 1048
777 Microwave & RF Plasma [플라즈마 주파수와 rate constant] [1] 753
776 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 605
775 ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 443
쓰기
태그

Boards

XE Login