최근 온실 GAS 문제로 인하여 Etch공정 gas를 변경하고 있는 개발을 추진하고있다고 어느 강연에서 교육을 받았습니다.

 

제가 궁금한 점은 변경되는 Etch공정 gas 로인하여 Pump 내부의 부식에 대한 부분입니다. (Pump 는 대부분 주철로 구성됨)

 

혹시 부식성Gas에 대한 부식rate가 따로 존재하는지 궁금합니다.

 

Gas마다 부식의 정도 값 으로 정의 된것이 있을까요?

 

예로) CHF3 에서 C6F12O 로 대채 한다고 하는데 부식의 정도가 어느정도 바뀌는지가 궁금합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76817
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20246
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57188
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92577
755 플라즈마 온도 27802
754 DBD란 27732
753 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27636
752 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27216
751 이온과 라디칼의 농도 file 27007
750 self bias (rf 전압 강하) 26724
749 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26480
748 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26201
747 충돌단면적에 관하여 [2] 26172
746 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26166
745 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25585
744 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24987
743 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24886
742 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24873
741 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24774
740 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24758
739 plasma와 arc의 차이는? 24721
738 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24663
737 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24601
736 플라즈마가 불안정한대요.. 24520

Boards


XE Login