Etch DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5712

안녕하십니까?

 

DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.

 

공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.

 

확인부탁드립니다.

 

감사합니다. 수고십시오.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [318] 83449
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22107
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58866
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70521
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96722
35 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2005
34 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2222
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2263
32 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2311
31 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2458
30 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2510
29 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2554
28 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2563
27 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2606
26 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2806
25 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2842
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2850
23 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3025
22 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3274
21 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3321
20 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3397
19 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 3830
18 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4134
17 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4348
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4553
쓰기
태그

Boards

XE Login