Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5229

안녕하십니까?

DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.

공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.

확인부탁드립니다.

감사합니다. 수고십시오.

번호	제목	조회 수
공지	[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218]	75407
공지	Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법	19148
공지	개인정보 노출 주의 부탁드립니다.	56477
공지	kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수	67534
공지	질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3]	89320
24	Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1]	2141
23	RIE에 관한 질문이 있습니다. [1]	2405
22	Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1]	2573
21	PR wafer seasoning [1]	2613
20	Plasma etcher particle 원인 [1]	2635
19	HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?	2742
18	Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1]	3291
17	Plasma 식각 test 관련 문의 [1]	3856
16	Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2]	3975
15	SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1]	4602
14	SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1]	5088
»	DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1]	5229
12	안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1]	5243
11	RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4]	5832
10	에칭후 particle에서 발생하는 현상	9359
9	ICP와 CCP의 차이 [3]	12024
8	안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1]	16754
7	ICP 식각에 대하여...	16828
6	RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도	20342
5	Dry Etcher 에 대한 교재 [1]	22467

첫 페이지 1 2 3 4 끝 페이지

쓰기

댓글 1