Etch AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제

2022.08.22 14:09

박범훈 조회 수:778

안녕하세요, 처음으로 글을 써봅니다.

 

AlCu Etch시 Cl2, BCl3 , N2 3개의 gas를 이용하여 Etching 하고 있습니다만 Etch 후 검정색 점형태 혹은 가루같은 형태로 Dust가 남아있는 문제가 있습니다.

 

Dust 는 Copper 성분으로 생각되는데 확실하진 않습니다.

Wet으로 제거했던 경험이 있는데 Dry Etch로는 지울 수 없는건지요?

 

Etching 장비는 TCP형태입니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103323
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24716
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61526
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73520
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105953
36 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2072
35 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2282
34 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2537
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2610
32 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2706
31 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2744
30 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2785
29 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2812
28 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2917
27 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2941
26 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3100
25 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3172
24 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3213
23 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3222
22 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3633
21 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3750
20 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3853
19 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4275
18 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4386
17 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4924
쓰기
태그

Boards

XE Login