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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[275]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
[1] | 2279 |
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Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 2335 |
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 2341 |
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[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
[1] | 2466 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2642 |
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PR wafer seasoning
[1] | 2704 |
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[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 2776 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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Plasma etcher particle 원인
[1] | 2982 |
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 2991 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3543 |
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Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3969 |
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Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4287 |
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5305 |
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14 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5467 |
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13 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1]  | 5882 |
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12 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 6263 |
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안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1] | 6633 |
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에칭후 particle에서 발생하는 현상
| 9524 |
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ICP와 CCP의 차이
[3] | 12503 |
