안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.

O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금

다를 수 있다는 내용을 보았는데요..


현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우

다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금

합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76749
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57170
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68707
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92307
750 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 253
749 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 273
748 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 291
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 309
746 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 311
745 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 316
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 318
743 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 319
742 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 320
741 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 333
740 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 341
739 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 347
738 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 348
737 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 354
736 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 355
735 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 357
734 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 366
733 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 367
732 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 373
731 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 373

Boards


XE Login