안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.

 

 다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.

주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다. 

 

4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?

 

SiO2+4F->SiF4 (g) +2O

 

전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다. 

답변 주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92264
748 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 290
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 306
746 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 310
745 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 314
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 314
743 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 318
742 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 319
741 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 329
740 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 341
739 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 343
738 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 347
737 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 350
736 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 354
735 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 355
734 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 356
733 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 364
732 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 373
731 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 373
» 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 386
729 plasma modeling 관련 질문 [1] 387

Boards


XE Login