안녕하세요 교수님, 교수님의 답변으로 이해도가 점점 깊어지고 있어 진심으로 감사 말씀드립니다.
오늘은 아래 세가지 질문 있습니다, 바쁘신 와중에 다시 한번 감사 말씀드립니다.

 

1. 설비에서 RF POWER를 SET 할 수 있는데, 상수로 SET이 가능합니다. 이 때 이 상수 값은 유효전력, 순시전력 중 어떤 값인가요?

 

2. 위의 SET 값은 다음과 같은 두 값의 합 이기도 한데요( SET POWER = FORWARD POWER + REFFLECT POWER) 

제일 궁금한 것은, 만일 SET 값이 유효전력이라면(3상 전력의 진폭 값)면 이해가 안가는 부분이 있는데요,

예를들어 SET POWER = 100W, FORWRAD POWER = 100W 라고 가정 할 경우, MATCHING 이후엔 GENERATOR 의 저항은 50 옴, CHAMBER의 저항도 50옴을 갖게 될텐데, 어떻게 100W 가 CH에  그대로 전달 되는 것인지 모르겠습니다. GENERATOR의 저항도 소비할테니까요.
100W라는게 3상 전력에서 COS 세타값을 1로 본 것인데, 이상적인 MATCHING 이후에도 세타는 0이므로 COS 1이지만, GEN의 저항과 ,CH 의 저항 각각이 유효전력을 나눠서 소비하는거 아닌가요? 그렇다면 100W보다는 작은 값이어야하는게 맞지 않나 생각되어서요.

-> 결과적으로 SET값이 제너레이터의 저항을 무시하고 인가되는 것을 보이는데 어떤부분을 이해 못하고 잇는것인지 여쭙습니다.

 

 3. 마지막으로 반사파와 무효전력의 관계입니다. CHAMBER에 최대 전력이 전달되지 않는 이유는 'CH의 CAP, INDUCTOR 성분 때문에 발생한 위상차' 때문으로 알고 있습니다. 그리고 반사파가 생기는 이유는 IMPEDANCE MISS MATCH 때문인 것으로 알고 있는데요,
그렇다면 CAP과 INDUCTOR에 소모되는 무효전력과 반사파는 관계가 있다고 보입니다. 

그래서 제 생각은  반사파 = 전달되지 못한 유효전력 = 인가하는 전력(SET값) -  V* I * COS 

                        무효전력 = CAP, INDUCOR에 소비되는 전력 = V*I* SIN

      -> 결과적으로 수식으론 관계가 없으나, 무효전력이 생김으로써 반사파 역시 일어날 수 밖에 없는것이라 이해하면 되는지요?

 

 

진심으로 감사드립니다, 교수님의 답변으로 업무에 많은 도움이 되고 있습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [274] 76811
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20241
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57186
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68736
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92569
757 플라즈마 온도 27797
756 DBD란 27732
755 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27635
754 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27214
753 이온과 라디칼의 농도 file 27004
752 self bias (rf 전압 강하) 26723
751 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26478
750 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26199
749 충돌단면적에 관하여 [2] 26171
748 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26159
747 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25583
746 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24987
745 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24882
744 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24869
743 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24774
742 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24756
741 plasma와 arc의 차이는? 24715
740 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24658
739 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24601
738 플라즈마가 불안정한대요.. 24518

Boards


XE Login