안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] 111584
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 27878
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 65155
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 76979
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 111247
36 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1871
35 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1832
34 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1632
33 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1618
32 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1591
31 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1577
30 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1530
29 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1522
28 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1401
27 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1354
26 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 1315
25 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1303
24 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 1244
23 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 1227
22 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1186
21 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 1167
20 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 1121
19 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 1084
18 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 945
17 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 934

Boards


XE Login