안녕하세요. 교수님

후공정 기업에서 Sputtering 공정을 관리하는 신입 엔지니어입니다.

 

일을 배우며, 전공적으로 이해가 되지 않는 부분이 있으나,

이론적으로 알려주는 선배들이 없어 교수님 도움 받고자 질문글 남깁니다.

 

저희는 박막 증착 전, 표면적을 넓혀 adhesion을 높이기 위해,

Ar Plasma Etching을 진행하고 있습니다.

허나, 표면이 Metal 혹은 Si 일 경우, Ar Plasma Etching을 진행하지 않습니다.

"쇼트가 날 수 있어, 진행하면 안된다."라고는 들었는데, 이해가 잘 되지 않습니다.

 

제가 세운 가설은 Etching된 Metal (혹은 Si) 이 Sheild에 증착되어,

Wafer와 닿을 정도로 성장해 접지가 되어 plasma의 지속이 멈추는 것입니다.

 

교수님, 제가 이해한 것이 맞을까요?

도움 부탁 드립니다.

 

+Plasma type은 ICP(RF)이며, Ar gas로만 plasma 형성합니다.

또한, Quartz Chamber 사용하고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [299] 77554
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20628
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57572
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69063
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93240
34 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1201
» Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1171
32 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1162
31 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1159
30 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1156
29 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [1] 1156
28 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1120
27 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1057
26 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 919
25 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 869
24 Polymer Temp Etch [1] 745
23 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 737
22 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 701
21 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 663
20 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 625
19 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 603
18 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 530
17 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 457
16 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 442
15 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 401

Boards


XE Login