안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.

 

 다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.

주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다. 

 

4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?

 

SiO2+4F->SiF4 (g) +2O

 

전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다. 

답변 주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76738
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92286
27 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1157
26 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
25 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1121
24 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1059
23 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1058
22 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1013
21 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 980
20 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 844
19 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 755
18 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 669
17 Polymer Temp Etch [1] 663
16 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 617
15 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 604
14 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 547
13 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 497
12 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 471
11 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 395
» 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 387
9 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 366
8 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 354

Boards


XE Login