안녕하십니까 교수님. 반도체 장비회사에서 공정개발 직무를 담당하고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 플라즈마 식각기술 책을 읽는 와중에 궁금한 점이 생겨 이렇게 질문을 남깁니다.

 

책에서 접지된 전극에 기판을 놓을 경우 Radical에 의한 반응이 반응성 이온의 영향보다 크게 되고,

고주파 전극에 기판을 놓게 되면 반대로 되어 이방성이 커진다고 하는데 

 

집지된 전극에 기판을 놓을 경우 왜 Radical 반응이 주가 되는 건가요?

접지라는 것이 이 구조에서 어떻게 영향을 끼치는 것인지 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4914
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16259
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63759
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83574
639 self bias (rf 전압 강하) 25909
638 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 25876
637 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25401
636 충돌단면적에 관하여 [2] 25388
635 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 25151
634 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24550
633 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24511
632 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24424
631 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24357
630 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24305
629 플라즈마가 불안정한대요.. 24296
628 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24216
627 플라즈마의 정의 24023
626 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 23941
625 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 23755
624 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23712
623 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23567
622 플라즈마 쉬스 23470
621 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23235
620 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23086

Boards


XE Login