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246 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24957
245 Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? 16055
244 Ar traction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [Chamber wall과 radical reaction] [1] 16183
243 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [Remote plasma의 Radical] [1] 23580
242 cross section 질문 [Cross section에서의 collision] [1] 22074
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240 RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [Power와 Gas ionization] [1] 18371
239 ICP 플라즈마 매칭 문의 [Matching과 breakdown] [2] 21557
238 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model] [1] 25334
237 [질문] Plasma density 측정 방법 [Plasma property와 sputtering] [1] 23042
236 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [Plasma 대면재료와 공정법] [1] 20088

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