안녕하세요. 반도체 회사 재직중인 엔지니어 입니다. 
질문에 앞서서 항상 정성스러운 답변 주셔서 정말 감사드립니다. 

저는 wafer의 적층을 하는 PKG 부서에 있으며 wafer간의 부착과 탈착을 함에 있어

그 사이에 Deposition을 하게 되고 탈착이 양호하게 이루어지려면 막질의 적당한 hardness가 중요한 공정입니다. 

막질의 hardness를 측정하기 위해서 Deposition후 wet clean을 하여 etch amount를 측정하는데

chamber의 pm을 변경점으로 wafer의 wet etch 후 center 부분만 막질이 거의 사라져서 막질에

구멍이 난것처럼 보이는(막질 색이 거의 없어지고 wafer Si의 색만 남음)현상이 발생하고 있습니다.

(기존에는 약 센터처인트200A정도만 etch되었었는데 현재는 1000A이상 etching됨)

RF Plasma에 문제가 있다고 판단하여 점검해본 사항은 아래와 같습니다. 


 1. Heater의 tilt확인 및 shower head와의 gap 최적화 > 현상동일
2. shower head 교체 > 현상동일
3. Heater unit 재장착 > 현상동일
4. Power가 약해 막질이 약해졌을거라 추정하여 RF Generator RF PWR 실계측 시 양호
5. Generator가 정확히 RF를 쏴주지만 matcher가 챔버로 파워를 정확히 전달하지 못할거라 추정하여 matcher swap -> swap 후에도 현상동일
6. RF ROD Swap > 현상동일

 

게시글들을 살펴봤을때 Plasma의 밀도는 확산에 의해 분포하므로 중앙에서 가장 높다고 하니 

단편적으로 생각하면center 영역에서의 막질이 더욱 단단하고 멀어질수록 무를것이라고 생각했는데..

 

막질이 약해져 wet etch 후 ER이 wafer center 부분만 높아진 현상 관련 추가적으로 점검해야할 point가 어떤것이 있을까요...?

또한 막질의 단단하고 약한정도에 영향을 주는 Factor는 어떤것을이 있을까요?

 

RF 및 Plasma에 대한 기초적인 지식이 부족하여 교수님 도움을 얻고자합니다.

참고로 해당 공정은 상온(25도)에서 진행되며 약 200W 정도의 약한 전력을 사용합니다.

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