안녕하세요. 대학교 졸업을 앞둔 학부생입니다.

이해가 잘 되지 않는 부분이 있어 여쭙습니다.

 

RFG를 통해, RF 주파수를 공급하여, plasma를 형성하는 것으로 알고 있습니다. 

 

이 때, 공급되는 RF 주파수를 최대한으로 공급하기 위하여, matcher를 이용하여, 조절한다 배웠습니다.

 

여기서 이해가 잘 안가는 부분이, 고주파의 진행파와 반사파의 비를 조절하여 임피던스 매칭을 시키는 것인가요?

무엇을 이용하여, 어떤 파라미터를 조절하여 최대 전력을 조달하는지 이해가 잘 가지 않습니다..

 

matching이 깨지게 되면,왜 arcing이 발생하고 왜 chamber 내에 particle이 발생하여 wafer scrap이 발생하는지도 잘 모르겠습니다..

 

다소 기초적인 지식이지만, 제가 가지고 있는 반도체 책, 학부 수업에서는 이 정도까지의 정보가 없어 이렇게 여쭙게 되었습니다.

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