안녕하세요 인터넷에 아무리 찾아도 명확한 답을 찾을 수 없어서 가입 후 글을 남깁니다.

보통 RF 주파수라고 하면 13.56MHz 를 주로 쓰지만 공정에 따라 27.12MHz, 40.68Hz, 60MHz 도 사용하는걸로 알고 있습니다

그런데 왜 13.56MHz 의 2배수인 27.12MHz, 3배수인 40.68MHz 를 정하여 사용하는지 알고싶습니다

또 2배수, 3배수를 사용하지 않았을때의 현상도 추가적으로 궁금합니다.

기본적이고 원초적인 질문 일수 있지만 명확한 해답을 알고 싶어 글 남깁니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103325
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24716
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61526
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73520
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105953
234 반도체 METAL ETCH시 CH4 GAS의 역할 [플라즈마 식각기술] [1] 1268
233 Self bias 내용 질문입니다. [쉬스와 표면 전위] [1] 1267
232 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1265
231 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 1254
230 자기 거울에 관하여 1248
229 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [ICP, CCP 플라즈마 heating] [1] 1245
228 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [I-V characteristic 방전 커브] [2] 1245
227 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [임피던스 매칭] [1] 1242
226 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1241
225 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [오존발생기] [1] 1240
224 플라즈마 코팅 [The Materials Science of Thin Films] [1] 1238
223 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 1228
222 RF tune position과 Vms의 관계가 궁금합니다. [Chamber component, Matcher] [1] 1228
221 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 1219
220 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [Particle 관리] [1] 1218
219 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [Breakdown condition 및 Paschen's law] [1] 1217
218 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [Atmostpheric pressure plasma jet] [1] 1211
217 교수님 질문이 있습니다. [Child-Langmuir sheath] [1] 1210
216 RF MATCHING관련 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 Impedance와 matching 설계] [1] 1204
215 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1197

Boards


XE Login