Matcher 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항
2004.06.21 15:35
질문 ::
플라즈마의 에너지원으로 주로 RF POWER를 사용하죠.
그런데, CHAMBER 전체의 임피던스와 RF GENERATOR의 출력
임피던스를 사이의 MATCHING을 RF MATCHER를 통해 REFLECT
POWER의 발생없이 CHAMBER의 CATHODE나 ANODE로 에너지
공급토록 하는 역할이 바로 RF MATCHER의 존재목적이 아닌가
싶습니다.
여기서 제가 궁금한 사항은 가끔 MATCHING이 우리가 원하는 SPEC
대로 정합이 되지는 않죠. 즉,REFLECT POWER(반사파)발생이 커지
기도 하는데요.. 이것이 특히 DRY ETCHING장치에서 PARTICLE이슈
와 관련하여 연관성이 있다고 볼 수 있을지요...
즉, REFLECT가 커지면 실제 플라즈마 상태가 불안정 상태를 의미하는
지요... PARTICLE과 연관지어 이론적 설명을 부탁드립니다..
답변 ::
본란에서 matching system에 관한 설명을 이미 드린 적이 있으니 참고하기 바랍니다.
두번째 질문인 particle과 matching system과의 관계는 저희도 잘 알고 있지 못한 내용입니다.
구체적으로 얼마나 심각한 영향을 줄 것 인가를 예상하기가 어렵습니다. 당연히 안테나 앞의 quartz의
두께가 식각 장비에서 바뀌게 되면 이값은 matching에고 영향을 주게 될 것 입니다. 하지만 particle의
생성은 어떤 영향을 줄 것인가에 대한 연구가 많이 진행되어 있지는 않는 것 같습니다. 이유는 particle의
정도가 얼마나 심각한 가에 따라 다르겠지요. 아무튼 깊이 고려해 볼 문제 입니다. 감사합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
189 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 869 |
188 | 문의 드립니다. [1] | 868 |
187 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 868 |
186 | RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] | 863 |
185 | 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] | 856 |
184 | RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] | 854 |
183 | PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] | 845 |
182 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 844 |
181 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 844 |
180 | 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] | 839 |
179 | ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] | 833 |
178 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 824 |
177 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 821 |
176 | RF 파워서플라이 매칭 문제 | 815 |
175 | 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] | 812 |
174 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 806 |
173 | 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] | 805 |
172 | DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] | 800 |
171 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 800 |
170 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 794 |