질문 ::
self bias(DC bias)전압에 대하여 문의드립니다.
실제로 DC bias sensor로 측정을 하고 sputter를하게되면
450[v]정도에서는 데포가 되지않고, 600[v]이상에서는 데포가 됩니다.
이것을 중요하게 생각하는것이아니라. 개인적으로
target size, chamber wall, impedance matching(?)가 관련이 있는것으로
생각되어지구요.. 이것이 맞는것이지,
다른 원인이 있는것인지 궁금합니다.
답변 ::
Self bais는 전극에 하전되는 전하량에 비례하게 됩니다. 따라서
따라서 하전되는 전하량은 당연히 전극의 크기와 플라즈마 밀도와
상대 전극의 크기등에 비례하겠지요. 플라즈마 밀도와 온도는
전극으로 들어오는 플라즈마 전류량에 영향을 미치게 되어 중요하고
전극의 크기들은 전체 하전량을 좌우함으로 또한 중요하게 됩니다.
아울러 플라즈마 임피던스는 플라즈마 밀도와 온도의 함수이므로
질문하신 플라즈마 임피던스도 관련되는 인자임이 틀림없게 됨니다만
보다 정확한 표현은 플라즈마 특성 인자들, 온도, 밀도라 하겠습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
189 | 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [1] | 18740 |
188 | 궁금해서요 | 16316 |
187 | PM을 한번 하시죠 | 19729 |
186 | CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] | 20381 |
185 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22765 |
184 | scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] | 19213 |
183 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19460 |
182 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26469 |
181 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21513 |
180 | RF에 대하여... | 32012 |
179 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24173 |
178 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24987 |
177 | RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] | 18875 |
176 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20963 |
175 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22852 |
174 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22579 |
173 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21753 |
172 | self bias (rf 전압 강하) | 26713 |
171 | 궁금합니다 [1] | 16177 |
170 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31537 |