Process 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다.
2021.07.12 10:28
안녕하세요.
반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.
Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.
CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.
로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.
RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.
제가 궁금한 점은
1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?
2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?
3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?
이상입니다. 감사합니다!
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75027 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18870 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56343 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66868 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88354 |
» | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 589 |
98 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 588 |
97 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 587 |
96 | RF 파워서플라이 매칭 문제 | 586 |
95 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 582 |
94 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 582 |
93 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 579 |
92 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 575 |
91 |
Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다.
[1] ![]() | 575 |
90 | 플라즈마 기본 사양 문의 [1] | 571 |
89 | 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] | 570 |
88 | ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] | 566 |
87 |
Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다.
[1] ![]() | 565 |
86 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 561 |
85 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 560 |
84 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 559 |
83 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 558 |
82 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 546 |
81 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 544 |
80 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 544 |
Matcher 내의 tune 과 shunt Cap 값의 변화는 chamber impedance와 plasma impedance 의 변화로 가정하는데 무리가 없습니다. 원인 결과를 따지면 매우 복잡하게 되므로, PM 전후에는 정밀한 공정 관점에서는 다른 chamber 에서 운전한다고 가정해도 좋을 정도이니, 공정에 복귀에 시간 투자를 허락하는 것이 좋을 것 같습니다. 다만 snunt 값만 쓰지 마시고, plasma off 상태의 chamber impedance 비교값, plasma on 상태에서 EPD OES 값에서 분광 신호를 넓히고, seasoning gas도 바꾸면서 데이터를 종합해 보시면 좋겠네요. Shunt 값은 플라즈마와 chamber를 포함한 총 impedance 변화에 matcher 가 대응한 결과임을 참고하시면 좀더 웨이퍼 손실을 줄일 수 있을 것 같습니다.
아울러 이는 chamber 마다 PM 마다 다를 수 있어, 경우수가 복잡해지는 절대 값을 찾으려 하지 마시고, 단위 chamber의 PM 이력과 처리기관이 성능 평가 자료에도 유의해 보시기를 추천드립니다.