|
공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[329]
| 98223 |
|
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 23856 |
|
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 60534 |
|
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 72404 |
|
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 103100 |
|
192 |
Dry Etcher 내 reflect 현상 [Chuck 전압/전류 및 field breakdown]
[2] | 22514 |
|
191 |
Arcing [전하 축적에 의한 방전 개시]
[1] | 28929 |
|
190 |
RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리]
[1] | 24988 |
|
189 |
전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [전자 가열 매커니즘과 이온 에너지]
[1] | 19250 |
|
188 |
궁금해서요
| 16477 |
|
187 |
PM을 한번 하시죠
| 19793 |
|
186 |
CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [플라즈마 확산 및 전력정합 영역 제어]
[1]  | 20603 |
|
185 |
Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스]
[1] | 23176 |
|
184 |
scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [RF matching 및 반응 단면적]
[2] | 19436 |
|
183 |
Full Face Erosion 관련 질문
[2] | 19610 |
|
182 |
공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [공정 과정 및 장치 상태]
[2] | 26782 |
|
181 |
상압 플라즈마 관련 문의입니다. [열용량과 방전 전력에 따른 냉각 장치]
[1] | 21724 |
|
180 |
RF에 대하여...
| 32526 |
|
179 |
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
| 24401 |
|
178 |
PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건]
[2] | 25231 |
|
177 |
RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [RF 방전과 이온 에너지]
[1] | 19139 |
|
176 |
RF plasma에 대해서 질문드립니다. [Sheath model, Ion current density]
[2] | 21313 |
|
175 |
floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [Ambipolar diffusion, Floating potential]
[2] | 23052 |
|
174 |
MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [Impedance matching과 반사파 형성]
[3] | 22777 |
|
173 |
glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압
| 21901 |
