안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로


두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.


첫째는

O2만 넣고 플라즈마 했을 때  / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때

 대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)

그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고

RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해

측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은

기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.


둘째는

플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.


관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.


-플라즈마종사자 드림-

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
157 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 720
156 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 720
155 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 719
154 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 713
153 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 710
152 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 709
151 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 708
150 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 705
149 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 698
148 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 695
147 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 685
» 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 685
145 Polymer Temp Etch [1] 673
144 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 672
143 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 661
142 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 655
141 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 643
140 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 637
139 plasma 공정 중 색변화 [1] 634
138 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 630

Boards


XE Login