안녕하세요.

 

반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.

 

 

다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.

 

 

Gas는 Cl2 N2 base로

 

Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는 

SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데

 

Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는 

Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.

 

혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?

 

P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서 

그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?

 

Bonding energy나

Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서

결론을 못내리고 있습니다.

 

 

추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?

 

 

감사합니다.

 

이주현 드림. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103323
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24716
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61526
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73520
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105953
194 플라즈마 용어 질문드립니다. [Self bias] [1] 1092
193 플라즈마 충격파 질문 [플라즈마 생성에 의한 충격파 현상] [1] 1088
192 ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [ECRiS] [2] 1086
191 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [플라즈마 표면 반응] [1] 1084
190 새집 증후군 없애는 플러스미- 플라즈마에 대해서 [광운대 플라즈마바이오연구센터] [1] 1081
189 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 1079
188 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1077
187 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다. [플라즈마 확산 시간 및 표면 반응 시간 유지] [2] 1071
186 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [Breakdown 이해] [1] 1061
185 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [충돌 거리 및 Deposition] [1] 1060
184 Hollow Cahthode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [장치 setting과 전극재료] [1] file 1055
183 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [플라즈마 응용기술] [1] 1048
182 플라즈마 밀도와 라디칼 [플라즈마 충돌 반응] [1] 1047
181 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [반응기 내벽 변동 및 벽면 불화 정도 판단] [1] 1041
180 RF magentron sputtering시 플라즈마 off 현상 [Sputter 문제] [1] 1038
179 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [Glow discharge process 이해] [1] 1033
178 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [단위 Chamber의 PM 이력] [1] 1027
177 RF 파워서플라이 매칭 문제 1022
176 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 1018
175 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 1017

Boards


XE Login