Sheath plasma and sheath, 플라즈마 크기

2004.07.02 00:28

이석근 조회 수:23694 추천:256

질문 ::

sheath가 형성된 부분은 전위가 매우 낮다가 일정영역에서는
높은 전위로 일정하게 유지되는데...

그렇다면 플라즈마내에서 voltalge drop이 있다고 해야하는 건가요??

어디서 어디까지가 플라즈마 형성 영역으로 봐야하는건지
잘 모르겠습니다.

아님 그냥 밀도 차이로 보면 되는건가요??

애매해서 질문드립니다.


답변 ::

플라즈마는 준중성상태를 유지하고 집단행동을 할 정도의 많은 하전입자의 모임입니다. 플라즈마 쉬스는 플라즈마의 경계에서 생기는
플라즈마의 일부분으로 쉬스에서는 플라즈마의 본래
특성인 준 중성상태의 조건을 위배하며 이온이 많고 강한 전기장이 형성되는 영역입니다. 쉬스와 플라즈마 본체 사이에는 플라즈마 온도의 절반에 해당하는 전위차를 갖으며 이 전위차로 부터 이온이 에너지를 받아 쉬스로 입사되게 되는, 즉 이온이 가속되는 영역인 프리 쉬스 (전외장)이 형성되어 있습니다. 프리쉬스 내에서는 플라즈마의 준 중성 상태는 유지됩니다.

따라서 플라즈마 특성이 유지되는 곳으로 플라즈마
크기를 정의한다면 쉬스 영역을 제외하고 생각하는
편이 옳을 수 있습니다. 정확히 이야기 하면 프리 쉬스 (전외장)까지
이겠지요. 하지만, 플라즈마 상태가
유지되는 곳의 그 가장자리에는 늘 쉬스가 형성되어 있음으로
플라즈마와 쉬스를 분리해서 플라즈마 용적을 생각하기는 어렵습니다.

쉬스에 대해서는 여러차례 설명을 했으니 이전 설명을 참고하기 바랍니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] 73081
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17644
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55521
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86110
67 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23146
66 Arcing 23248
65 plasma와 arc의 차이는? 23309
64 self Bias voltage 23316
63 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23394
62 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 23526
61 플라즈마 쉬스 23612
» plasma and sheath, 플라즈마 크기 23694
59 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23840
58 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24056
57 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 24080
56 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24146
55 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24330
54 플라즈마가 불안정한대요.. 24368
53 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24527
52 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24534
51 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24539
50 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24599
49 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24738
48 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25451

Boards


XE Login